Модуль памяти для компьютера DDR SDRAM 1GB 400 MHz Samsung (K4H510838G-LCCC / K4H510838С - UCCC)
код товара: 33880
Оплата
Наличная, Безналичная, VISA/Mastercard
Обмен / возврат
Обмен / возврат товара в течении 14 дней
Гарантия: 24 месяца
Оплата
Наличная, Безналичная, VISA/Mastercard
Обмен / возврат
Обмен / возврат товара в течении 14 дней
Гарантия: 24 месяца
Оплата
Наличная, Безналичная, VISA/Mastercard
Обмен / возврат
Обмен / возврат товара в течении 14 дней
Гарантия: 24 месяца
Характеристики
Основные характеристики
Объем памяти
1 GB
Частота памяти
400 MHz
Тайминги
CL3
Дополнительно
Примечание
Поставка товара возможна в ОЕМ-версии. То есть, товар может поставляться без сопровождающих материалов и дополнительных компонентов, в упаковке без оформления, гарантирующей только их безопасную транспортировку.
Другие
Производитель
Samsung
Модель
DDR SDRAM 1GB 400 MHz
Артикул
K4H510838G-LCCC / K4H510838С - UCCC
Тип памяти
DDR
Количество модулей в наборе
1
Охлаждение
нет
Страна производства
Южная Корея
Гарантия, мес
24
Примечание
Производитель может менять свойства, характеристики, внешний вид и комплектацию товаров без предварительного уведомления
Описание
DDR SDRAM - это первое поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.
При использовании DDR SDRAM достигается удвоенная скорость работы, в сравнении с SDRAM, за счёт считывания команд и данных не только по фронту, но и по спаду тактового сигнала. За счёт этого удваивается скорость передачи данных без увеличения частоты тактового сигнала шины памяти.
Модуль памяти DDR SDRAM 1024Mb SAMSUNG PC3200 имеет параметр CL3, что обозначает величину латентности, равную 3. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах, обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину.
Модуль памяти DDR SDRAM 1024Mb SAMSUNG PC3200 - работает с тактовой частотой 400 MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 3200 МБ/с.
При использовании DDR SDRAM достигается удвоенная скорость работы, в сравнении с SDRAM, за счёт считывания команд и данных не только по фронту, но и по спаду тактового сигнала. За счёт этого удваивается скорость передачи данных без увеличения частоты тактового сигнала шины памяти.
Модуль памяти DDR SDRAM 1024Mb SAMSUNG PC3200 имеет параметр CL3, что обозначает величину латентности, равную 3. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах, обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину.
Модуль памяти DDR SDRAM 1024Mb SAMSUNG PC3200 - работает с тактовой частотой 400 MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 3200 МБ/с.