Модуль памяти для компьютера DDR3 4GB 1333 MHz MICRON (CT51264BA1339)
код товара:
U0001288
Оставить отзыв
+10
Указанная сумма будет начислена в виде бонусов на Ваш бонусный счет. Не забудьте правильно указать свой номер телефона при оформлении заказа.
Если Вы еще не участник программы лояльности Brain UP, Вы можете это изменить всего за 30 секунд, и пользоваться всеми преимуществами.
Цена:
1036
грн
Оплата
Наличными, Наложенный платеж, Безналичный, Visa/MasterCard, WebMoney, LiqpayГарантия
Обмен/возврат товара надлежащего качества в течение 14 дней. Гарантия от производителя - 60 мес.Характеристики
- Производитель MICRON
- Модель DDR3 4GB 1333 MHz
- Артикул CT51264BA1339
- Тип памяти DDR 3
- Объем памяти 4 GB
- Количество модулей в наборе 1
- Частота памяти 1333 MHz
- Тайминги CL9
- Напряжение 1.5V
- Охлаждение нет
- Примечание Поставка товара возможна в ОЕМ-версии. То есть, товар может поставляться без сопровождающих материалов и дополнительных компонентов, в упаковке без оформления, гарантирующей только их безопасную транспортировку.
- Страна производства Гонконг
- Гарантия, мес 60
Описание
DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.
Преимущества по сравнению с DDR2:
- более высокая пропускная способность (до 19200 МБ/с);
- сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания);
- меньшее энергопотреблениие и улучшенное энергосбережение.
Модуль памяти DDR3 4096Mb MICRON (RM51264BA1339) имеет параметр CL9, что обозначает величину латентности, равную 9. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах , обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину.
DDR3 4096Mb MICRON (RM51264BA1339) - это один модуль памяти на 4Гб. Память работает с тактовой частотой 1333MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 10600МБ/с.
Читать полное описание
Преимущества по сравнению с DDR2:
- более высокая пропускная способность (до 19200 МБ/с);
- сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания);
- меньшее энергопотреблениие и улучшенное энергосбережение.
Модуль памяти DDR3 4096Mb MICRON (RM51264BA1339) имеет параметр CL9, что обозначает величину латентности, равную 9. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах , обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину.
DDR3 4096Mb MICRON (RM51264BA1339) - это один модуль памяти на 4Гб. Память работает с тактовой частотой 1333MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 10600МБ/с.
Галерея Модуль памяти для компьютера DDR3 4GB 1333 MHz MICRON (CT51264BA1339)
