Модуль памяти для компьютера DDR3 4GB 1333 MHz Micron (CT51264BA1339)
код товара: U0001288
Оплата
Наличная, Безналичная, VISA/Mastercard
Обмен / возврат
Обмен / возврат товара в течении 14 дней
Гарантия: 60 месяцев
Оплата
Наличная, Безналичная, VISA/Mastercard
Обмен / возврат
Обмен / возврат товара в течении 14 дней
Гарантия: 60 месяцев
Оплата
Наличная, Безналичная, VISA/Mastercard
Обмен / возврат
Обмен / возврат товара в течении 14 дней
Гарантия: 60 месяцев
Характеристики
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
Объем памяти
4 ГБ
Количество модулей в наборе
1
Частота памяти
1333 MHz
Тайминги
CL9
Напряжение
1.5 V
Охлаждение
нет
Дополнительно
Примечание
Поставка товара возможна в ОЕМ-версии. То есть, товар может поставляться без сопровождающих материалов и дополнительных компонентов, в упаковке без оформления, гарантирующей только их безопасную транспортировку.
Другие
Производитель
Micron
Модель
DDR3 4GB 1333 MHz
Артикул
CT51264BA1339
Гарантия, мес
60
Примечание
Производитель может менять свойства, характеристики, внешний вид и комплектацию товаров без предварительного уведомления
Описание
DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.
Преимущества по сравнению с DDR2:
- более высокая пропускная способность (до 19200 МБ/с);
- сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания);
- меньшее энергопотреблениие и улучшенное энергосбережение.
Модуль памяти DDR3 4096Mb MICRON (RM51264BA1339) имеет параметр CL9, что обозначает величину латентности, равную 9. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах , обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину.
DDR3 4096Mb MICRON (RM51264BA1339) - это один модуль памяти на 4Гб. Память работает с тактовой частотой 1333MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 10600МБ/с.
Преимущества по сравнению с DDR2:
- более высокая пропускная способность (до 19200 МБ/с);
- сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания);
- меньшее энергопотреблениие и улучшенное энергосбережение.
Модуль памяти DDR3 4096Mb MICRON (RM51264BA1339) имеет параметр CL9, что обозначает величину латентности, равную 9. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах , обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину.
DDR3 4096Mb MICRON (RM51264BA1339) - это один модуль памяти на 4Гб. Память работает с тактовой частотой 1333MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 10600МБ/с.
