Модуль памяти для компьютера DDR3 4GB 1333 MHz Team (TED34G1333C901 / TED34GM1333C901)

код товара: U0036920
Оставить отзыв
+9

Указанная сумма будет начислена в виде бонусов на Ваш бонусный счет. Не забудьте правильно указать свой номер телефона при оформлении заказа.

Если Вы еще не участник программы лояльности Brain UP, Вы можете это изменить всего за 30 секунд, и пользоваться всеми преимуществами.

Детали программы лояльности Brain UP

  • Модуль памяти для компьютера DDR3 4GB 1333 MHz Team (TED34G1333C901 / TED34GM1333C901)
  • Модуль памяти для компьютера DDR3 4GB 1333 MHz Team (TED34G1333C901 / TED34GM1333C901) изображение 1
  • Модуль памяти для компьютера DDR3 4GB 1333 MHz Team (TED34G1333C901 / TED34GM1333C901) изображение 2
  • Модуль памяти для компьютера DDR3 4GB 1333 MHz Team (TED34G1333C901 / TED34GM1333C901) изображение 3
  • Модуль памяти для компьютера DDR3 4GB 1333 MHz Team (TED34G1333C901 / TED34GM1333C901) изображение 4
Цена: 989 грн
Доставка Ваш город: Киев

Оплата

Наличными, Наложенный платеж, Безналичный, Visa/MasterCard, WebMoney, Liqpay

Гарантия

Обмен/возврат товара надлежащего качества в течение 14 дней. Гарантия от производителя - 60 мес.

Характеристики

  • Производитель Team
  • Модель DDR3 4GB 1333 MHz
  • Артикул TED34G1333C901 / TED34GM1333C901
  • Тип памяти DDR 3
  • Объем памяти 4 GB
  • Количество модулей в наборе 1
  • Частота памяти 1333 MHz
  • Тайминги CL9
  • Напряжение 1.5V-1.65V
  • Охлаждение нет
  • Примечание Поставка товара возможна в ОЕМ-версии. То есть, товар может поставляться без сопровождающих материалов и дополнительных компонентов, в упаковке без оформления, гарантирующей только их безопасную транспортировку.
  • Страна производства Тайвань
  • Гарантия, мес 60
Все характеристики

Описание

Модуль памяти DDR3 4GB 1333 MHz Team (TED34G1333C901) имеет параметр CL9, что обозначает величину латентности, равную 9. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах, обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину.


DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.
Читать полное описание
Статьи