Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR4 16GB 2133 MHz Samsung (M471A2K43BB1-CPB)

код товара: U0174186
Оставить отзыв
+35

Указанная сумма будет начислена в виде бонусов на Ваш бонусный счет. Не забудьте правильно указать свой номер телефона при оформлении заказа.

Если Вы еще не участник программы лояльности Brain UP, Вы можете это изменить всего за 30 секунд, и пользоваться всеми преимуществами.

Детали программы лояльности Brain UP

  • Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR4 16GB 2133 MHz Samsung (M471A2K43BB1-CPB)
Доставка Ваш город: Киев

Оплата

Наличными, Наложенный платеж, Безналичный, Visa/MasterCard, WebMoney, Liqpay

Гарантия

Обмен/возврат товара надлежащего качества в течение 14 дней. Гарантия от производителя - 60 мес.

Характеристики

  • Производитель Samsung
  • Модель SoDIMM DDR4 16GB 2133 MHz
  • Артикул M471A2K43BB1-CPB
  • Тип памяти DDR4
  • Объем памяти 16 GB
  • Количество модулей в наборе 1
  • Стандарты памяти PC4-17000
  • Частота памяти 2133 МГц
  • Тайминги CL15
  • Напряжение 1.2 V
  • Проверка и коррекция ошибок (ECC) non-ECC
  • Буферизация unbuffered
  • Охлаждение нет
  • Примечание Поставка товара возможна в ОЕМ-версии. То есть, товар может поставляться без сопровождающих материалов и дополнительных компонентов, в упаковке без оформления, гарантирующей только их безопасную транспортировку.
  • Страна производства Тайвань
  • Гарантия, мес 60
Все характеристики

Описание

У каждого ноутбука и нетбука есть скрытые возможности. Благодаря модулям памяти SoDIMM DDR4 16GB 2133 MHz Samsung (M471A2K43BB1-CPB) Вы узнаете, на что действительно способен ваш компьютер. SODIMM (Small Outline DIMM) - это специальные модули для портативных компьютеров, отличающиеся уменьшенным размером. Этот тип модулей памяти используется также и в коммуникационном оборудовании, где важны их габариты, во все современные ноутбуки устанавливаются модули формата SODIMM.

DDR4 SDRAM - это новое поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных. Преимущества по сравнению с DDR3:
- более высокая пропускная способность;
- сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания);
- меньшее энергопотребление и улучшенное энергосбережение.

Читать полное описание