Модуль пам'яті для комп'ютера DDR SDRAM 1GB 400 MHz Silicon Power (SP001GBLDU400O02)
код товару: L013079
Оплата
Готівкова, Безготівкова, VISA/Mastercard
Обмін / повернення
Обмін/ повернення товару протягом 14 днів
Гарантія: 36 місяців
Доставка:
Товар не доступний
Оплата
Готівкова, Безготівкова, VISA/Mastercard
Обмін / повернення
Обмін/ повернення товару протягом 14 днів
Гарантія: 36 місяців
Доставка:
Товар не доступний
Оплата
Готівкова, Безготівкова, VISA/Mastercard
Обмін / повернення
Обмін/ повернення товару протягом 14 днів
Гарантія: 36 місяців
Характеристики
Основні характеристики
Додатково
Примітка
Поставка товару можлива в ОЕМ-версії. Тобто, товар може поставлятися без супроводжуючих матеріалів і додаткових компонентів, в упаковці без оформлення, що гарантує лише їх безпечне транспортування.
Інші
Виробник
Silicon Power
Модель
DDR SDRAM 1GB 400 MHz
Артикул
SP001GBLDU400O02
Гарантія, міс
36
Штрихкод
4710700397091
Примітка
Виробник може змінювати властивості, характеристики, зовнішній вигляд і комплектацію товарів без попередження
Опис
DDR SDRAM - це перше покоління синхронної динамічної пам'яті з довільним доступом та подвоєною швидкістю передачі даних.
При використанні DDR SDRAM досягається подвоєнна швидкість роботи, в порівнянні з SDRAM, за рахунок зчитування команд і даних не лише по фронту, але і по спаду тактового сигналу. За рахунок цього подвоюється швидкість передачі даних без збільшення частоти тактового сигналу шини пам'яті.
Модуль пам'яті DDR SDRAM 1024Mb SILICON POWER (SP001GBLDU400O02) має параметр CL3, що означає величину латентності, рівну 3. CAS -латентность - перший і найважливіший параметр в таймінгах, означає число тактів, необхідних для видачі даних на шину.
Модуль пам'яті DDR SDRAM 1024Mb SILICON POWER (SP001GBLDU400O02) - працює з тактовою частотою 400 MHz, і з піковою швидкістю передачі даних 3200 МБ/с.
При використанні DDR SDRAM досягається подвоєнна швидкість роботи, в порівнянні з SDRAM, за рахунок зчитування команд і даних не лише по фронту, але і по спаду тактового сигналу. За рахунок цього подвоюється швидкість передачі даних без збільшення частоти тактового сигналу шини пам'яті.
Модуль пам'яті DDR SDRAM 1024Mb SILICON POWER (SP001GBLDU400O02) має параметр CL3, що означає величину латентності, рівну 3. CAS -латентность - перший і найважливіший параметр в таймінгах, означає число тактів, необхідних для видачі даних на шину.
Модуль пам'яті DDR SDRAM 1024Mb SILICON POWER (SP001GBLDU400O02) - працює з тактовою частотою 400 MHz, і з піковою швидкістю передачі даних 3200 МБ/с.
