Модуль пам'яті для комп'ютера DDR SDRAM 1GB 333 MHz Silicon Power (SP001GBLDU333O02)
код товару: D0004509
Оплата
Готівкова, Безготівкова, VISA/Mastercard
Обмін / повернення
Обмін/ повернення товару протягом 14 днів
Гарантія: 36 місяців
Доставка:
Товар не доступний
Оплата
Готівкова, Безготівкова, VISA/Mastercard
Обмін / повернення
Обмін/ повернення товару протягом 14 днів
Гарантія: 36 місяців
Доставка:
Товар не доступний
Оплата
Готівкова, Безготівкова, VISA/Mastercard
Обмін / повернення
Обмін/ повернення товару протягом 14 днів
Гарантія: 36 місяців
Характеристики
Основні характеристики
Додатково
Примітка
Поставка товару можлива в ОЕМ-версії. Тобто, товар може поставлятися без супроводжуючих матеріалів і додаткових компонентів, в упаковці без оформлення, що гарантує лише їх безпечне транспортування.
Інші
Виробник
Silicon Power
Модель
DDR SDRAM 1GB 333 MHz
Артикул
SP001GBLDU333O02
Гарантія, міс
36
Примітка
Виробник може змінювати властивості, характеристики, зовнішній вигляд і комплектацію товарів без попередження
Опис
DDR SDRAM - це перше покоління синхронної динамічної пам'яті з довільним доступом та подвоєною швидкістю передачі даних.
При використанні DDR SDRAM досягається подвоєна швидкість роботи, в порівнянні з SDRAM, за рахунок зчитування команд і даних не лише по фронту, але і по спаду тактового сигналу. За рахунок цього подвоюється швидкість передачі даних без збільшення частоти тактового сигналу шини пам'яті.
Модуль пам'яті DDR SDRAM 1024Mb Silicon Power (SP001GBLDU333O02) має параметр CL3, що означає величину латентності, рівну 3. CAS-латентність - перший і найважливіший параметр в таймінгах, означає число тактів, необхідних для видачі даних на шину.
Модуль пам'яті DDR SDRAM 1024Mb Silicon Power (SP001GBLDU333O02) - працює з тактовою частотою 333 MHz, і з піковою швидкістю передачі даних 2700 МБ / с.
При використанні DDR SDRAM досягається подвоєна швидкість роботи, в порівнянні з SDRAM, за рахунок зчитування команд і даних не лише по фронту, але і по спаду тактового сигналу. За рахунок цього подвоюється швидкість передачі даних без збільшення частоти тактового сигналу шини пам'яті.
Модуль пам'яті DDR SDRAM 1024Mb Silicon Power (SP001GBLDU333O02) має параметр CL3, що означає величину латентності, рівну 3. CAS-латентність - перший і найважливіший параметр в таймінгах, означає число тактів, необхідних для видачі даних на шину.
Модуль пам'яті DDR SDRAM 1024Mb Silicon Power (SP001GBLDU333O02) - працює з тактовою частотою 333 MHz, і з піковою швидкістю передачі даних 2700 МБ / с.
