Модуль памяти для компьютера DDR SDRAM 1GB 333 MHz Silicon Power (SP001GBLDU333O02)
код товара: D0004509
Оплата
Наличная, Безналичная, VISA/Mastercard
Обмен / возврат
Обмен / возврат товара в течении 14 дней
Гарантия: 36 месяцев
Доставка:
Товар не доступен
Оплата
Наличная, Безналичная, VISA/Mastercard
Обмен / возврат
Обмен / возврат товара в течении 14 дней
Гарантия: 36 месяцев
Доставка:
Товар не доступен
Оплата
Наличная, Безналичная, VISA/Mastercard
Обмен / возврат
Обмен / возврат товара в течении 14 дней
Гарантия: 36 месяцев
Характеристики
Основные характеристики
Дополнительно
Примечание
Поставка товара возможна в ОЕМ-версии. То есть, товар может поставляться без сопровождающих материалов и дополнительных компонентов, в упаковке без оформления, гарантирующей только их безопасную транспортировку.
Другие
Производитель
Silicon Power
Модель
DDR SDRAM 1GB 333 MHz
Артикул
SP001GBLDU333O02
Гарантия, мес
36
Примечание
Производитель может менять свойства, характеристики, внешний вид и комплектацию товаров без предварительного уведомления
Описание
DDR SDRAM - это первое поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.
При использовании DDR SDRAM достигается удвоенная скорость работы, в сравнении с SDRAM, за счёт считывания команд и данных не только по фронту, но и по спаду тактового сигнала. За счёт этого удваивается скорость передачи данных без увеличения частоты тактового сигнала шины памяти.
Модуль памяти DDR SDRAM 1024Mb Silicon Power (SP001GBLDU333O02) имеет параметр CL3, что обозначает величину латентности, равную 3. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах, обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину.
Модуль памяти DDR SDRAM 1024Mb Silicon Power (SP001GBLDU333O02) - работает с тактовой частотой 333 MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 2700 МБ/с.
При использовании DDR SDRAM достигается удвоенная скорость работы, в сравнении с SDRAM, за счёт считывания команд и данных не только по фронту, но и по спаду тактового сигнала. За счёт этого удваивается скорость передачи данных без увеличения частоты тактового сигнала шины памяти.
Модуль памяти DDR SDRAM 1024Mb Silicon Power (SP001GBLDU333O02) имеет параметр CL3, что обозначает величину латентности, равную 3. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах, обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину.
Модуль памяти DDR SDRAM 1024Mb Silicon Power (SP001GBLDU333O02) - работает с тактовой частотой 333 MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 2700 МБ/с.
